碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） (T/CIET 1279-2025) 团体名称为中国国际经济技术合作促进会
主要起草人：王宇、陈鹏飞、侯晓蕊、袁振洲、袁丽、雷沛、顾鹏、刘西洋、陈颖超、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、祝焕新。
起草单位：眉山博雅新材料股份有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、山西烁科晶体有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司。
范围：本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。
内容简要 本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量…