硅基厚金属膜电镀工艺技术规范 (T/CI 512-2024) 团体名称为中国国际科技促进会
主要起草人：赵晓光 、孙云娜 、李霁 、尹玉刚 、刘瑞涛 、边潍 、吴宇 、梅子麒 、梁潮 、宋志强 、 周元楷 、樊玉静 、丁明建 、任长友 、周东平 、王德周 。
起草单位：清华大学 、东南大学 、上海交通大学 、启元实验室 、中国航天科技集团公司九院 704所 、淄博高新技术产业开发区MEMS研究院 、广州天极电子科技股份有限公司 、深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司 、苏州厚朴传感科技有限公司 、北京旺凡科技有限公司 、北京高科中创科学技术中心 。
范围：本文件规定了硅基厚金属电镀工艺的加工能力 、保障条件 、材料 、安全与环境操作 、检验等技术要求 ,确立了硅基厚金属电镀工艺加工的程序 。本文件适用于硅基MEMS制造技术中厚金属膜多层布线的电镀加工 。
内容简要 本文件规定了硅基厚金属电镀工艺的加工能力、保障条件、材料、安全与环境操作、检验等技术要求,确立了硅基厚金属电镀工艺加工的程序。…