碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 (T/CASAS 001-2018) 团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人：许恒宇、李金元、柏松、李诚瞻、刘鹏飞、万彩萍、查祎英、刘奥、周维、赵璐冰、高伟
起草单位：中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、龙腾半导体有限公司
内容简要 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高…