正压悬浮区熔单晶硅炉 (SJ/T 11853-2022)
此标准规定了正压悬浮区熔单晶硅炉的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
声明：本站为网络服务提供者及网络索引服务平台资源索引自网络/用户分享，如有版权问题，请联系我们删除。