聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成是一项前沿的纳米材料研究。该研究利用高能电子束精确控制单晶硅纳米线的局部结构变化，实现了选择性非晶化，并成功制备出具有同轴结构的新型纳米材料。这种技术为纳米尺度下材料性能的调控提供了新思路，在纳米电子器件、光电器件等领域具有潜在应用价值。研究不仅揭示了电子束与纳米材料相互作用的机理，也为新型纳米结构的可控制备开辟了途径。