微电子技术基础中的双极和场效应晶体管是现代电子器件的核心组成部分。双极晶体管（BJT）通过电子和空穴两种载流子的运动实现电流放大，具有高增益和快速响应的特点，广泛应用于模拟电路。场效应晶体管（FET）则依赖单一载流子（电子或空穴）在电场控制下的沟道导电，分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOSFET），以高输入阻抗和低功耗优势主导数字集成电路。两者在结构、工作原理及适用场景上形成互补，共同构成半导体器件的基础。