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GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求

发布日期:1992-07-01,实施日期:1993-03-01,下载格式PDF。
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简介

低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 (GB 13539.4-1992) 国家标准《低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求》由TC189(全国低压电器标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为中国电器工业协会。已被标准 GB/T 13539.4-2005(全部代替)

起草单位:上海电器科研所。

此标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I2t特性、电弧电压特性、试验和标志。此标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。

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